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全球首颗!我国芯片领域获得沉大突破

近日 ,清华大学集成电路学院教授吴华强、副教授高滨团队基于存算一体推算范式 ,研造出全球首颗整系统集成的、支持高效片上进建(机械进建能在硬件端直接实现)的忆阻器存算一体芯片 ,在支吃飕上进建的忆阻器存算一体芯片领域获得沉大突破 ,有望推进人为智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。有关成就在线颁发于最新一期的《科学》。

全球首颗!我国芯片领域获得沉大突破

忆阻器存算一体芯片及测试系统。清华大学供图

该芯片蕴含支持齐全片上进建所必须的全数电路? ,成功实现图像分类、语音鉴别和节造工作等多衷飕上增量进建职能验证 ,展示出高适应性、高能效、高通用性、高正确率等特点 ,有效强化智能设备在现实利用场景下的进建适应能力。一样工作下 ,该芯片实显飕上进建的能耗仅为先进工艺下专用集成电路(ASIC)系统的3% ,展示出卓越的能效优势 ,极具满足人为智能时期高算力需要的利用潜力 ,为突破冯·诺依曼传统推算架构下的能效瓶颈提供了一种创新发展蹊径。

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